美国国防高级研究计划署（DARPA）与德克萨斯州政府联合投资14亿美元，计划改造位于德州奥斯汀的德克萨斯电子研究所（TIE）旧厂，打造全球首个专注于3D异构集成（3DHI）技术的先进实验晶圆厂。该晶圆厂将集成多种半导体材料（包括硅、氮化镓和碳化硅）和不同芯片类型，实现芯片层间的堆叠与互联，极大提升微电子器件性能。根据DARPA预测，硅基芯片堆叠性能较传统二维设计提升可达30倍，采用异质半导体材料则有望提升100倍。
该晶圆厂是DARPA“下一代微电子制造计划（NGMM）”的核心基础设施，旨在推动美国微电子制造技术的革命性飞跃。德克萨斯州政府将出资5.52亿美元，DARPA出资8.4亿美元，预计五年内建成投用后实现自我运营。除了制造能力，此项目还将开发关键工艺设计套件和封装设计套件，促进设计标准的制定与普及。
此外，德州科技大学已获得DARPA和德州政府资助，开展3D异构集成专业的研究生教育项目，培养下一代芯片设计与制造人才。该晶圆厂建设也将为众多硬件初创企业提供从原型设计到初步量产的关键平台，助力其跨越“实验室到工厂”的断层，进一步巩固美国在军事、人工智能和高性能计算领域的领先地位。
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