伟德1946最新半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示，2017年第一季服务器内存模组价格持续攀高，据目前已成交的合约来看，平均涨幅已逾25%，甚至在高容量模组的涨幅更直逼30%以上，其中DDR4 32GB RDIMM已突破200美元大关，而16GB RDIMM也顺势攀升至100美元。
伟德1946最新半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，由于DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象，因此延续2016下半年的价格涨势，2017年第一季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局，DDR3 4GB模组的合约价最高已超过25美元，季涨幅超过三成，为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。
伟德1946最新存储研究(DRAMeXchange)最新韦德网站官网首页显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆栈顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
拓墣产业研究院最新研究显示，中国大陆集成电路产业投资基金（大基金）自2015年出台后，大基金承诺投资额度已接近人民币700亿元，其中多数资金投入于半导体制造端晶圆厂的建置，占已投资比重约60%，预期在完成制造端布局后，大基金下一个阶段的投资重点将转向IC设计产业。
2016年DRAM产业市况转折相当大，历经上半年需求不振，持续跌价的态势，至第三季后，才在中国智能手机出货畅旺、笔电出货回温下，DRAM的平均销售单价开始大幅上扬。展望未来， TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）预估，2017年整体DRAM供给位元成长将小于20%，为历年来最低，在需求面没有明显转弱的前提下，预估全年度DRAM供给成长将小于需求成长，可望带动DRAM价格持续攀高，维持供货商全面获利的状态。
